主要特性如下：

高性能ARM® CortexTM-M0+ RISC CPU

• 20MHz内核运行速度，两级指令流水结构

• 56条Thumb® 指令集

-       硬件单周期32 x 32乘法指令

-       优化的单周期IO操作

• 128KB Flash程序空间

• 8KB RAM 数据空间

• 优先级控制的中断嵌套响应机制

-      1个非屏蔽中断

-      1-32个可屏蔽中断源

• 数据DMA传输

控制器特性

• 4-20MHz外部晶体振荡时钟输入

• 内核低功耗省电模式

• 内置看门狗监控

• 内置上电复位和低电压复位

• Flash区具备ECC自动纠错功能

• Flash擦写次数> 100000次，Flash数据保存>10年

低功耗指标

• 运行功耗：

-     < 4mA @ 10MHz / 5V，典型值

-     < 2mA @ 10MHz / 2.7V，典型值

外设特性

• 2个输入输出端口，单个引脚可编程输入内部上拉或下拉，输出开漏控制

-     PORT0

-     PORT1

• ５个定时器：

-     24位系统时标定时器SYS_TICK

-     16位通用定时器TMR0、TMR2和TMR3

-     16位通用定时器TMR1，带3路输入捕捉和4路定时比较

• 2个异步通讯端口，可编程波特率最高至57600 BPS，支持8或9位数据通讯，1位奇偶校验，1位起始位，0.5~2位停止位．支持DMA数据传输

-     UART0

-     UART1

• 1个高速SPI主模式双向同步串行数据通讯接口，可编程时钟速率最高至8MHz，可编程4-16位宽度数据传输，并支持DMA

• 1个I2C主模式串行数据总线通讯接口，可编程时钟速率最高至400KHz，8位数据传输

• 1个10位分辨率ADC模块

-     4路外部模拟量输入

-     1路内置基准参考电压输入

-     转换速度500KSPS

工作环境

• 供电电压范围：2.7 ~ 5.5 V

• 工作环境温度：-40 ~ +85 ℃

开发和调试

• 使用SWD两线式在线调试方式

• 支持ARM®CoreSight®多断点和实时代码跟踪调试

• 支持通用集成开发平台（Keil®， IAR®等）

• 适用ARM®Cortex微控制器软件接口标准（CMSIS）